#  IGBT-транзистор G80H65DFB в корпусе TO-247

> Актуально на: 2026-06-28 (YYYY-MM-DD)  
  
- **Артикул:** 823230890942  
- **Цена:** 80.44 руб. (1.02 USD)  
- **Партия:** от ≥50  
- **Категория:** Мощность транзистора  
- **Полный путь:** [Главная](https://asiaoptom.com/) → [Электронные компоненты](https://asiaoptom.com/catalog/elektronika-i-detali/) → [Транзистор](https://asiaoptom.com/catalog/tranzistor/) → [Мощность транзистора](https://asiaoptom.com/catalog/moshchnost-tranzistora/)  
- **фото:** https://cdn.asiaoptom.com/iprox.php?i=img/ibank/O1CN01d1ECnQ1abR0XjQ77P_!!1000723348-0-cib.jpg  
  
## Варианты

  
Варианты: 1 вариантов  
Возможные варианты: 247  
  
- **247** - 80.17 руб. (1.02 USD) в наличии: 5000 шт.  
  
## Описание

 ## Мощный IGBT-транзистор G80H65DFB для силовой электроники Представляем вам высококачественный IGBT-транзистор G80H65DFB в надежном корпусе TO-247. Этот компонент предназначен для использования в современных силовых преобразователях, инверторах и источниках бесперебойного питания. Благодаря передовой технологии IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), он обеспечивает высокую эффективность и надежность в самых требовательных приложениях.  
 ### Ключевые особенности и преимущества **Высокая мощность:** Транзистор G80H65DFB способен выдерживать значительные токи и напряжения, что делает его идеальным для мощных силовых схем.  
**Корпус TO-247:** Стандартный корпус с отличным теплоотводом, обеспечивающий надежную работу при высоких температурах.  
**Низкое падение напряжения:** Благодаря оптимизированной структуре, транзистор имеет минимальное падение напряжения в открытом состоянии, что снижает потери энергии.  
**Быстрое переключение:** Высокая скорость переключения позволяет использовать его в высокочастотных преобразователях.  
**Надежность:** Компонент прошел строгие испытания и гарантирует стабильную работу в течение длительного срока службы.  
 ### Технические характеристики Тип: IGBT-транзистор  
Модель: G80H65DFB  
Корпус: TO-247  
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 650 В  
Максимальный ток коллектора: 80 А  
Рабочая температура: от -55°C до +175°C  
 ### Области применения Этот IGBT-транзистор широко используется в:  
 Инверторах для солнечных батарей  
Источниках бесперебойного питания (ИБП)  
Электроприводах переменного тока  
Сварочных аппаратах  
Индукционных нагревателях  
 ### Советы по использованию Для обеспечения максимальной производительности и долговечности транзистора G80H65DFB рекомендуется:  
 Использовать радиатор для отвода тепла, особенно при работе на высоких токах.  
Применять снабберные цепи для подавления перенапряжений при переключении.  
Соблюдать правила монтажа, чтобы избежать механических повреждений корпуса.  
 ### Часто задаваемые вопросы **Вопрос:** Какое максимальное напряжение может выдержать этот транзистор?**Ответ:** Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 650 В, что позволяет использовать его в большинстве силовых схем.  
**Вопрос:** Нужен ли радиатор для этого транзистора?**Ответ:** Да, для эффективного отвода тепла и предотвращения перегрева рекомендуется устанавливать транзистор на радиатор.  
**Вопрос:** Можно ли использовать этот транзистор в высокочастотных преобразователях?**Ответ:** Да, благодаря быстрому переключению, он подходит для работы на частотах до нескольких десятков килогерц.  
   
**ТН ВЭД ЕАЭС:** 85412900  
  
## Поставщик

- Доставка по Китаю: 3.2  
- Точность описания товара: 100%  
- Повторные продажи: 45.22%  
- Возврат товара: 0%  
  
  
## Условия заказа

 Минимальная сумма заказа на AsiaOptom: от $500. Пробная партия: от $100. Цены указаны без учёта доставки. Средняя стоимость доставки до России: 5–8 $/кг (авто, ж/д), 10–12 $/кг (авиа). Персональный менеджер свяжется в течение 1–3 рабочих дней после оформления.  
   
 [Как заказать](https://asiaoptom.com/orderhelp/) | [Доставка](https://asiaoptom.com/delivery/) | [Оплата](https://asiaoptom.com/payment/) | [Гарантии](https://asiaoptom.com/guaranty/)  
  
 **Источник: ** https://asiaoptom.com/item/823230890942/